在X射线吸收谱中，年全能并阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。
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当从10GPa 卸载到环境压力时，大突电上由于持续残留的SiO5五面体(图1b)，大突电上可以清楚地观察到一个滞后现象，证实了五重配位多面体在v-SiO2的塑-弹转变中的关键作用。追热播剧《人民的名义》，破技换台好电视，更好看。
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